NDS9407 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NDS9407
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内容描述：	单P沟道增强型场效应晶体管 [Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	10 页 / 326 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

典型电气特性

-20

，漏源电流（A ）

-5.5

-5.0

RDS （ ON），归一化

漏源导通电阻

= -10V

-7.0 -6.0

2.5

= -4.0V

-4.5

-5.0

-5.5

-6.0

-8.0

-10

-15

-10

-4.5

1.5

-5

-4.0

-3.5

-1

-2

-3

-4

VDS ，漏极 - 源极电压（ V）

-5

0.5

-4

-8

-12

I D ，漏电流（ A）

-16

-20

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与栅极电压

和漏极电流。

1.8

R DS （ ON ），归一化

漏源导通电阻

1.4

1.2

= -3A

RDS （ ON），归一化

= -10V

2.5

1.6

漏源导通电阻

= -10V

TJ = 1 2 5℃

1.5

0.8

25°C

-55°C

0.6

-50

-25

100

T J ，结温（ ° C）

125

150

0.5

-5

-10

，漏电流（ A）

-15

-20

图3.导通电阻变化

与温度。

图4.导通电阻变化与漏电流

和温度。

-10

125°C

25°C

-6

V th时，归一化

门源阈值电压

，漏电流（ A）

-8

= -10V

TJ = - 5 5℃

1.2

= V

I D = -250μA

1.1

-4

0.9

-2

0.8

-1

-2

-3

-4

-5

，门源电压（ V）

-6

0.7

-50

-25

100

T，结温（ ° C）

125

150

图5.传输特性。

图6.门阈值变化与

温度。

NDS9407.SAM版本B

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