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NDS355AN 参数 Datasheet PDF下载

NDS355AN图片预览
型号: NDS355AN
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 63 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
(续)
,跨导( SIEMENS )
7
6
5
30
V
DS
= 5.0V
T J = -55°C
I
D
,漏电流( A)
10
5
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
T
IMI
)L
ON
S(
RD
100
1m
10m
10
0m
s
us
25°C
125°C
4
3
2
1
0
s
s
g
V
GS
= 4.5V
单脉冲
R =见Note1b
θJA
中T = 25℃
A
0.2
1s
DC
FS
0
2
4
6
I
D
,漏电流( A)
8
10
0.5
1
2
5
10
五, DRAI N-二源极电压( V)
DS
20 30
50
图13.跨导变化与漏
电流和温度
.
图14.最大安全工作区
.
稳态功率耗散( W)
0.8
I
D
,稳定状态下的漏电流(A)
1
2
1.8
0.6
1b
1a
1.6
1a
4.5"x5"的FR-4板
o
T
A
= 25 C
静止的空气中
V = 4.5V
GS
0.4
1.4
1b
0.2
4.5"x5"的FR-4板
T
A
= 25
o
C
静止的空气中
0
1.2
0
0.1
0.2
0.3
2盎司覆铜安装垫面积(
2
)
0.4
0
0.1
0.2
0.3
2盎司覆铜安装垫面积(
2
)
0.4
Figue 15 SuperSOT
TM =
3最大
稳态功耗与铜
贴装焊盘面积。
图16.最大稳态漏
电流对铜安装焊盘面积
.
1
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θJA
R
θJA
=见注释1B
P( PK)
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA (T )
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
300
图17.瞬态热响应曲线。
注意:在使用中注意事项1b中描述的条件进行表征。将瞬态热响应
改变取决于电路板的设计。
NDS355AN Rev.C