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型号: NDS355AN
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 63 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
注意事项:
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。 ř
θ
JC
被担保
设计,同时ř
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V,I
S
=0.42 A
(注2 )
0.8
0.42
10
1.2
A
A
V
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
T
J
T
A
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型ř
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局:
a. 250
o
安装在一个0.02 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
b. 270
o
安装在一个0.001 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
1a
1b
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 % 。
NDS355AN Rev.C