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NDS355AN 参数 Datasheet PDF下载

NDS355AN图片预览
型号: NDS355AN
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 63 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
(续)
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
1.12
5
I
D
= 250µA
1.08
I
S
,反向漏电流( A)
1
V
GS
= 0V
TJ = 125°C
1.04
0.1
25°C
-55°C
1
0.01
0.96
0.001
0.92
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温( ° C)
125
150
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.2
图7.击穿电压变化与
温度
.
图8.体二极管正向电压的变化与
源电流和温度
.
500
,栅源电压(V )
300
电容(pF)
200
10
I
D
= 1.6A
8
V
DS
= 5V
10V
15V
ç国际空间站
6
100
60
40
ç OSS
4
V
0
0
ç RSS
20
30
20
0.1
GS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
2
0.2
0.5
1
2
5
10
V,漏极至源极电压( V)
DS
2
4
Q
g
,栅极电荷( NC)
6
8
图9.电容特性
.
图10.栅极电荷特性
.
V
DD
V
IN
D
t
on
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D(上)
t
D(关闭)
90%
t
f
V
GS
R
V
OUT
G
DUT
10%
10%
90%
S
V
IN
10%
50%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路。
图12.开关波形
.
NDS355AN Rev.C