NDS355AN 参数 Datasheet PDF下载

型号：	NDS355AN
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内容描述：	N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	6 页 / 63 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1997年1月

NDS355AN

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

概述

SuperSOT

-3 N沟道逻辑电平增强模式

功率场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的

专有的，高密度， DMOS技术。这种非常高

密度工艺特别适合于减小导通状态

性。这些装置特别适用于低电压

在笔记本电脑中的应用程序，移动电话， PCMCIA

卡，并

其它电池供电的电路中快速

切换和低线的功率损耗，需要在一个非常小的

外形表面贴装封装。

特点

1.7A ， 30 V ，R

DS （ ON）

= 0.125

Ω

@ V

= 4.5 V

DS （ ON）

= 0.085

Ω

@ V

= 10 V.

行业标准外形SOT- 23表面贴装封装

使用专有SuperSOT

-3设计卓越

热和电性能。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流

能力。

紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装

封装。

_______________________________________________________________________________

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

英镑

参数

漏源电压

= 25 ° C除非另有说明

NDS355AN

±20

（注1A ）

单位

栅源电压 - 连续

最大漏极电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

1.7

0.5

0.46

-55到150

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

250

° C / W

NDS355AN Rev.C

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