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型号: NDC632P
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内容描述: P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 255 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
-15
2
V
GS
=-5V -4.5 -4.0
I
D
,漏源电流(A )
漏源导通电阻
-3.5
-12
R
DS ( ON)
归一化
1.8
V
GS
=-2.5V
-2.7
-3.0
-3.0
-9
1.6
-2.7
-2.5
1.4
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-6
1.2
-2.0
-3
1
0
0
-1
V
DS
0.8
-2
-3
-4
,漏源电压(V )
-5
0
-3
-6
-9
I
D
,漏电流( A)
-12
-15
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压。
1.6
2
漏源导通电阻
漏源导通电阻
I
D
= -2.7A
1.4
V
GS
=-4.5 V
T J = 125°C
1.5
R
DS ( ON)
归一化
V
GS
= -4.5V
R
DS ( ON)
,
1.2
25°C
1
1
-55°C
0.5
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温( ° C)
125
150
0
0
-3
-6
-9
I
D
,漏电流( A)
-12
-15
图3.导通电阻变化
随温度
.
图4.导通电阻变化
与漏电流和温度
.
-15
1.2
25°C
125°C
门源阈值电压
V
DS
=- 5V
-12
T = -55°C
J
V
DS
= V
GS
1.1
I
D
= -250µA
I
D
,漏电流( A)
V
th
归一化
1
-9
0.9
-6
0.8
-3
0.7
0
0
-1
V
GS
-2
-3
-4
,门源电压( V)
-5
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温( ° C)
125
150
图5.传输特性。
图6.门阈值变化
随温度
.
NDC632P牧师B1