欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

NDC632P 参数 Datasheet PDF下载

NDC632P图片预览
型号: NDC632P
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 255 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第9页  
June1996
NDC632P
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些P沟道逻辑电平增强模式
功率场效应晶体管都采用生产
飞兆半导体专有的,高密度, DMOS
技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻。
这些装置特别适用于低电压
应用,例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路
其中,快速的高侧开关和低线功率
需要在一个非常小的轮廓表面损失
贴装封装。
特点
-2.7A , -20V 。 ř
DS ( ON)
= 0.14
@ V
GS
= -4.5V
R
DS ( ON)
= 0.2
@ V
GS
= -2.7V.
专有SuperSOT
TM
使用铜-6包装设计
引线框架为优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS ( ON)
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
___________________________________________________________________________________________
4
3
5
2
6
1
SuperSOT
TM
-6
绝对最大额定值
符号参数
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDC632P
-20
-8
-2.7
-10
(注1A )
(注1B )
(注1C )
单位
V
V
A
1.6
1
0.8
-55到150
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
30
° C / W
° C / W
©1997仙童半导体公司
NDC632P牧师B1