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    NDC632P 参数 Datasheet PDF下载

    NDC632P图片预览
    型号： NDC632P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 255 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第9页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第10页  
    典型的电气和热特性
    （续）
    12
    稳态功率耗散（ W）
    2
    V
    DS
    =- 5V
    ，跨导（ SIEMENS ）
    10
    TJ = -55°C
    25°C
    1a
    1.5
    8
    6
    125°C
    1
    1b
    1c
    4
    0.5
    4.5"x5"的FR-4板
    T
    A
    = 2 5 C
    静止的空气中
    o
    2
    g
    FS
    0
    0
    -3
    -6
    -9
    -12
    -15
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    0
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    2盎司覆铜安装垫面积（
    2
    )
    1
    图13.跨导的变化与
    漏电流和温度
    .
    图14. SuperSOT
    TM
    -6最大稳态电源
    功耗与铜贴装焊盘面积。
    3
    -I
    D
    ，稳定状态下的漏电流（A）
    1a
    20
    10
    5
    N)
    LIM
    IT
    2.5
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    2
    1
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    1
    0.01
    0.1
    RD
    S（O
    10
    10
    0u
    s
    1m
    s
    10
    ms
    0m
    s
    1b
    2
    1c
    1s
    V
    1.5
    GS
    = -4.5V
    DC
    4.5"x5"的FR-4板
    T
    A
    = 2 5 C
    静止的空气中
    V
    的s
    = -4.5V
    o
    单脉冲
    R
    θ
    J A
    =见注释1℃
    T
    A
    = 25°C
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    10
    20
    30
    1
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    2盎司覆铜安装垫面积（
    2
    )
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    图15.最大稳态漏电流
    与铜安装焊盘面积。
    图16.最高安全工作。区域
    1
    瞬态热阻
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.005
    0.00001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    100
    300
    D = 0.5
    R（T ） ，规范有效
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    P（ PK）
    R
    θ
    JA （ T） = R（T ） * R
    θ
    JA
    RJ-A =见注1℃
    θ
    t
    1
    t
    2
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    (t)
    θ
    JA
    占空比D = T
    1
    / t
    2
    图17.瞬态热响应曲线
    .
    注意：
    热特性进行使用笔记1c中描述的条件。瞬态热响应将发生变化
    根据电路板的设计。
    NDC632P牧师B1

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