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    NDC632P 参数 Datasheet PDF下载

    NDC632P图片预览
    型号： NDC632P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 10 页 / 255 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第8页浏览型号NDC632P的Datasheet PDF文件第9页  
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    符号
    参数
    条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    开关特性
    BV
    DSS
    I
    DSS
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    漏源击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = -250 µA
    V
    DS
    = -16 V, V
    GS
    = 0 V
    T
    J
    = 55 C
    门 - 体泄漏，正向
    门 - 体泄漏，反向
    V
    GS
    = 8 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    GS
    = -8 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = -250 µA
    T
    J
    = 125
    o
    C
    静态漏源导通电阻
    V
    GS
    = -4.5 V，I
    D
    = - 2.7 A
    T
    J
    = 125
    o
    C
    V
    GS
    = -2.7 V，I
    D
    = - 2.2 A
    I
    D（上）
    g
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    通态漏电流
    V
    GS
    = -4.5 V, V
    DS
    = -5 V
    V
    GS
    = -2.7 V, V
    DS
    = -5 V
    正向跨导
    V
    DS
    = -10 V，I
    D
    = - 2.7 A
    V
    DS
    = -10 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0 MHz的
    动态特性
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    550
    260
    75
    pF
    pF
    pF
    -10
    -4
    6
    S
    -0.4
    -0.3
    -0.7
    -0.5
    0.1
    0.145
    0.152
    o
    -20
    -1
    -10
    100
    -100
    V
    µA
    µA
    nA
    nA
    基本特征
    （注2 ）
    栅极阈值电压
    -1
    -0.8
    0.14
    0.28
    0.2
    A
    V
    Ω
    开关特性
    （注2 ）
    打开 - 延迟时间
    打开 - 上升时间
    打开 - 关闭延迟时间
    打开 - 关闭下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    V
    DS
    = -5 V,
    I
    D
    = -2.7 A，V
    GS
    = -4.5 V
    V
    DD
    = -5 V，I
    D
    = -1 A,
    V
    根
    = -4.5 V ，R
    根
    = 6
    Ω
    10
    40
    25
    17
    8.7
    1.7
    1.8
    20
    60
    40
    30
    15
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    NDC632P牧师B1

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