FQP10N60C / FQPF10N60C 600V N沟道MOSFET
典型性能特性
（续）
图7.击穿电压变化
与温度的关系
1.2
图8.导通电阻变化
与温度的关系
3.0
BV
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
1.1
R
DS （ ON）
（归一化）
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*注意：
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
µ
A
0.5
*注意：
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 4.75 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T
J
，结温[
°
C]
T
J
，结温[
°
C]
图9-1 。最大安全工作区
对于FQP10N60C
10
2
图9-2 。最大安全工作区
为FQPF10N60C
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
µ
s
100
µ
s
10
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10
µ
s
I
D
，漏电流[ A]
100
µ
s
I
D
，漏电流[ A]
10
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
10
1
10
0
1毫秒
10毫秒
100毫秒
DC
10
0
*注意：
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
10
-1
*注意：
1. T
C
= 25
°
C
2. T
J
= 150
°
C
3.单脉冲
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
，漏源电压[V]
V
DS
，漏源电压[V]
图10.最大漏极电流
与外壳温度
10
8
I
D
，漏电流[ A]
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度[
°
C]
4
FQP10N60C / FQPF10N60C版本C
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