FQP10N60C / FQPF10N60C 600V N沟道MOSFET
典型性能特性
图1.区域特征
图2.传输特性
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部： 4.5 V
上图：
10
1
10
1
I
D
，漏电流[ A]
I
D
，漏电流[ A]
150
°
C
25
°
C
10
0
-55
°
C
10
0
10
-1
*注意：
1. 250
µ
s脉冲测试
2. T
C
= 25
°
C
*注意：
1. V
DS
= 40V
10
-1
2. 250
µ
s脉冲测试
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
，漏源电压[V]
V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和Temperatue
2.0
R
DS （ ON）
[
Ω
],
漏源导通电阻
I
DR
，反向漏电流[ A]
1.5
10
1
V
GS
= 10V
1.0
10
0
0.5
V
GS
= 20V
150
°
C
25
°
C
10
-1
*注意：
1. V
GS
= 0V
2. 250
µ
s脉冲测试
*注：t
J
= 25
°
C
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
D
，漏电流[ A]
V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
3000
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
=短路）
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
图6.栅极电荷特性
12
2500
C
RSS
= C
gd
10
V
DS
= 120V
V
DS
= 300V
C
国际空间站
V
GS
，栅源电压[V]
电容[ pF的]
2000
8
V
DS
= 480V
1500
C
OSS
6
1000
*注意事项;
1. V
GS
= 0 V
4
C
RSS
500
2. F = 1 MHz的
2
*注：我
D
= 9.5A
0
-1
10
0
10
0
10
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
3
FQP10N60C / FQPF10N60C版本C
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FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
