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FQPF10N60C 参数 Datasheet PDF下载

FQPF10N60C图片预览
型号: FQPF10N60C
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内容描述: 600V N沟道MOSFET [600V N-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 1021 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FQP10N60C / FQPF10N60C 600V N沟道MOSFET
2007年4月
QFET
FQP10N60C / FQPF10N60C
600V N沟道MOSFET
特点
• 9.5A , 600V ,R
DS ( ON)
= 0.73Ω @V
GS
= 10 V
•低栅极电荷(典型的44 NC)
•低的Crss (典型值18 pF的)
•快速开关
• 100 %雪崩测试
•改进dv / dt能力
®
描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管
器都采用飞兆半导体专有的,平面条形制作,
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对微型
迈兹的导通电阻,优越的开关perfor-
曼斯,并能承受高能量脉冲雪崩和
换流模式。这些装置非常适用于高艾菲
效率开关电源,有源功率因数cor-
基于半桥拓扑rection ,电子镇流器。
D
G
g DS的
TO-220
FQP系列
GD S
TO-220F
FQPF系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
漏电流
- 连续(T
C
= 25°C)
- 连续(T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
(注1 )
参数
FQP10N60C
9.5
5.7
38
FQPF10N60C
600
9.5 *
5.7 *
38 *
±
30
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
栅源电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散(T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的,
8分之1 & QUOT ;从案例5秒
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
700
9.5
15.6
4.5
156
1.25
-55到+150
300
50
0.4
W
W / ℃,
°C
°C
*漏电流受最高结温。
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热电阻,凯斯到水槽典型。
热阻,结到环境
FQP10N60C
0.8
0.5
62.5
FQPF10N60C
2.5
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
©2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FQP10N60C / FQPF10N60C版本C