FQP10N60C / FQPF10N60C 600V N沟道MOSFET
包装标志和订购信息
器件标识
FQP10N60C
FQPF10N60C
设备
FQP10N60C
FQPF10N60C
包
TO-220
TO-220F
带尺寸
--
--
胶带宽度
--
--
QUANTITY
50
50
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
∆T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
µA
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
600
--
--
--
--
--
--
0.7
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
µA
µA
nA
nA
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
µA
V
GS
= 10 V，I
D
= 4.75 A
V
DS
= 40 V，I
D
= 4.75 A
（注4 ）
2.0
--
--
--
0.6
8.0
4.0
0.73
--
V
Ω
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
1570
166
18
2040
215
24
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 480 V，I
D
= 9.5A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
（注4,5）
V
DD
= 300 V，I
D
= 9.5A,
R
G
= 25
Ω
--
--
--
--
--
--
--
23
69
144
77
44
6.7
18.5
55
150
300
165
57
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 14.2mH ，我
AS
= 9.5 A，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
Ω,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
9.5A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 9.5 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 9.5 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
420
4.2
9.5
38
1.4
--
--
A
A
V
ns
µC
2
FQP10N60C / FQPF10N60C版本C
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FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
