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    FDV302P 参数 Datasheet PDF下载

    FDV302P图片预览
    型号： FDV302P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 数字场效应晶体管， P沟道 [Digital FET, P-Channel]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 66 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDV302P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDV302P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDV302P的Datasheet PDF文件第3页  
    典型的电气和热特性
    8
    -V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    25
    I
    D
    = -0.2A
    6
    V
    DS
    = -5V
    -15
    -10
    电容（pF）
    15
    10
    ç国际空间站
    科斯
    4
    5
    3
    2
    2
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    0.3
    1
    2
    5
    0
    0
    0.1
    0.2
    0.3
    0.4
    0.5
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    CRSS
    10
    15
    25
    1
    0.1
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性。
    图8.电容特性。
    1
    0.5
    N)
    LI
    T
    MI
    5
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    1m
    (O
    DS
    10
    0m
    s
    s
    功率（W）的
    4
    0.2
    0.1
    0.05
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 357 ° C / W
    T
    A
    = 25°C
    R
    1s
    10
    s
    3
    2
    0.02
    0.01
    V
    GS
    = -2.7V
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 357 ° C / W
    T
    A
    = 25°C
    1
    2
    5
    DC
    1
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    300
    10
    15
    20
    30
    40
    单脉冲时间（秒）
    - V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    图9.最高安全工作区。
    图10.单脉冲最大功率
    耗散。
    1
    R（T ） ，规范有效
    瞬态热阻
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.005
    0.002
    0.001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    P（ PK）
    R
    θ
    JA
    （吨） = R （t）的R *
    θ
    JA
    R
    θ
    JA
    = 357 ° C / W
    t
    1
    T
    J
    - T
    t
    2
    = P * R
    JA
    (t)
    θ
    占空比D = T
    1
    /t
    2
    A
    100
    300
    图11.瞬态热响应曲线
    .
    FDV302P REV 。 ˚F

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