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FDV302P 参数 Datasheet PDF下载

FDV302P图片预览
型号: FDV302P
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内容描述: 数字场效应晶体管, P沟道 [Digital FET, P-Channel]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 66 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
0.2
2
漏源导通电阻
-I
D
,漏源电流(A )
V
GS
= -5.0V
-4.5
0.15
-4.0
-3.5
R
DS ( ON)
归一化
-3.0
-2.7
V
GS
= -2.0 V
1.5
-2.5
-2.7
-3.0
0.1
-2.5
1
0.05
-2.0
-4.0
-3.5
-4.5
0
0
1
2
3
4
0.5
0
0.05
0.1
-I
D
,漏电流( A)
0.15
0.2
-V
DS
,漏源电压(V )
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
1.6
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
25
I
D
= -0.05A
1.4
TA = 25℃
20
I
D
= -0.05A
125 °C
V
GS
= -2.7V
1.2
15
1
10
0.8
5
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温( ° C)
125
150
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻与变异
栅 - 源电压。
0.08
25°C
-I
D
,漏电流( A)
0.06
-I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= -5V
T
A
= -55°C
125°C
0.5
V
GS
= 0V
0.1
TJ = 125°C
25°C
0.04
0.01
-55°C
0.001
0.02
0
0.5
1
-V
GS
1.5
2
2.5
3
,门源电压( V)
0.0001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流和
温度。
FDV302P REV 。 ˚F