1997年10月
FDV302P
数字场效应晶体管， P沟道
概述
这种P沟道逻辑电平增强模式场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，高细胞产生
密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻。这
设备已被设计特别适用于低电压
应用程序作为替换为数字晶体管。自
偏置电阻器不是必需的，这一个P沟道场效应晶体管可以
不同的偏置电阻更换几个数字晶体管
如DTCx和DCDx系列。
特点
-25 V， -0.12连续， - 0.5 A峰值。
R
DS （ ON）
= 13
Ω
@ V
GS
= -2.7 V
R
DS （ ON）
= 10
Ω
@ V
GS
= -4.5 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
操作3V电路。 V
GS （ TH）
< 1.5V 。
门源齐纳的ESD耐用性。
>6kV人体模型
紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装
封装。
取代许多PNP数字晶体管（ DTCx和DCDx ）
一个DMOS FET 。
SOT-23
马克： 302
SuperSOT -6
TM
SuperSOT
TM
-8
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
ESD
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
A
= 25
o
C除非另有说明
FDV302P
-25
-8
单位
V
V
A
- 连续
- 脉冲
-0.12
-0.5
0.35
-55到150
6.0
最大功率耗散
工作和存储温度范围
静电放电额定值MIL -STD- 883D
人体模型（ 100pF电容/ 1500欧姆）
W
°C
kV
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
357
° C / W
©1997仙童半导体公司
FDV302P REV 。 ˚F
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
