FDV302P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDV302P
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内容描述：	数字场效应晶体管， P沟道 [Digital FET, P-Channel]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 66 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

电气特性

= 25

C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

漏源击穿电压

击穿电压温度。系数

零栅极电压漏极电流

= 0 V，I

= -250 µA

= -250 μA ，参考25

= -20 V, V

= 0 V

= 55°C

GSS

门 - 体泄漏电流

（注）

-25

-20

-1

-10

-100

毫伏/

µA

毫伏/

-1.5

0.135

∆

DSS

∆

DSS

= -8 V, V

= 0 V

= -250 μA ，参考25

= V

, I

= -250 µA

= -2.7 V，I

= -0.05 A

= -4.5 V，I

= -0.2 A

=125°C

-0.65

1.9

-1

10.6

7.9

-0.05

基本特征

∆

GS （ TH）

∆

GS （ TH）

DS （ ON）

栅极阈值电压温度。系数

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

Ω

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

通态漏电流

正向跨导

= -2.7 V, V

= -5 V

= -5 V，I

= -0.2 A

= -10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

（注）

1.4

开关特性

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= -6 V，I

= -0.2 A,

= -4.5 V ，R

根

= 50

Ω

0.31

= -5 V，I

= -0.2 A,

= -4.5 V

0.22

0.11

0.04

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

= 0 V，I

= -0.2 A

（注）

-0.2

-1

-1.5

注意：

脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

FDV302P REV 。 ˚F

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