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    FDS6675 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6675图片预览
    型号： FDS6675
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 117 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6675的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6675的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6675的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS6675的Datasheet PDF文件第5页  
    典型电气特性
    （续）
    10
    - V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    6000
    I
    D
    = -11A
    8
    V
    DS
    = -5V
    -10V
    电容（pF）
    4000
    ç国际空间站
    2000
    1000
    500
    -15V
    6
    科斯
    4
    ç RSS
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    10
    20
    30
    2
    200
    0
    0
    12
    24
    36
    48
    60
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    100
    0.1
    - V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性。
    图8.电容特性。
    100
    30
    - I
    D
    ，漏电流（ A）
    10
    3
    IMI
    )L
    （上
    S
    RD
    T
    50
    10
    1m
    10m
    1s
    0u
    s
    功率（W）的
    s
    40
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    =125°C/W
    T
    A
    = 25°C
    s
    30
    0.5
    0.05
    0.01
    0.05
    V
    GS
    = -10V
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 125°C / W
    T
    A
    = 25° C
    0.1
    0.3
    1
    3
    10
    0
    DC
    M传
    10
    s
    20
    10
    10
    30
    50
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    300
    - V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    单脉冲时间（秒）
    图9.最高安全工作区。
    图10.单脉冲最大功率
    耗散。
    R（T ） ，规范有效
    瞬态热阻
    1
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.005
    0.002
    0.001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    P（ PK）
    0.02
    0.01
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    （吨） = R （t）的R *
    θ
    JA
    R
    θ
    JA
    = 125°C / W
    t
    1
    t
    2
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θ
    JA （T ）
    占空比D = T
    1
    /t
    2
    100
    300
    图11.瞬态热响应曲线。
    热特性进行使用注1c中所述的条件。
    瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
    FDS6675 Rev.C1

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