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FDS6675 参数 Datasheet PDF下载

FDS6675图片预览
型号: FDS6675
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内容描述: 单P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 117 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
50
- I
D
,漏源电流(A )
2.5
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
归一化
40
V
GS
= -10V
-6.0V
-4.5V
-3.5V
2
V
GS
= -3.5V
-4.0V
30
1.5
-4.5 V
-5.5V
-7.0V
20
-3.0V
1
-10V
10
0
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3
- V
DS
,漏源电压(V )
0.5
0
10
20
30
40
50
- I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
戴恩电流和栅极电压。
0.05
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
1.6
漏源导通电阻
1.4
I
D
= -11A
V
GS
= -10V
I
D
= -5.5A
0.04
R
DS ( ON)
归一化
1.2
0.03
1
0.02
T = 125°C
J
0.8
0.01
25° C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
10
- V
GS
,门源电压( V)
T
J
,结温( ° C)
图3.导通电阻变化与
温度。
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
V
DS
= -5.0V
- I
D
,漏电流( A)
40
TJ = -55°C
- I
S
,反向漏电流( A)
50
50
25° C
125° C
V
GS
= 0V
10
TJ = 125°C
1
30
25° C
0.1
20
-55° C
10
0.01
0
1
2
3
4
5
- V
GS
,门源电压( V)
0.001
0
0.4
0.8
1.2
- V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDS6675 Rev.C1