电气特性
(
T
A
= 25
O
C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 µA
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
DS
= -24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 µA
I
D
= 250 μA ，参考25
o
C
V
GS
= -10 V，I
D
= -11 A
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -9 A
o
-30
-22
-1
-10
100
-100
-1
-1.7
4.3
0.011
0.016
0.015
-50
32
3000
870
360
0.014
0.023
0.02
-3
V
毫伏/
o
C
µA
µA
nA
nA
V
毫伏/
o
C
∆
BV
DSS
/
∆
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
（注2 ）
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压温度。系数
静态漏源导通电阻
∆
V
GS （ TH）
/
∆
T
J
R
DS （ ON）
Ω
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意事项：
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
（注2 ）
V
GS
= -10 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -11 A
V
DS
= -15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
A
S
pF
pF
pF
22
27
80
140
42
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
-2.1
A
V
动态特性
开关特性
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -15 V，I
D
= -1 A
V
根
= -10 V ，R
根
= 6
Ω
12
16
50
100
V
DS
= -15 V，I
D
= -11 A,
V
GS
= -5 V
30
9
11
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -2.1 A
（注2 ）
-0.72
-1.2
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。 ř
θ
JC
is
通过设计保证，同时ř
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 50
O
在1 C / W
2
PAD
的2盎司覆铜。
b. 105
O
在0.04 C / W
2
垫2盎司覆铜。
c. 125
O
在一0.006 C / W
2
PAD
的2盎司覆铜。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
FDS6675 Rev.C1
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
