FDS6675 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS6675
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内容描述：	单P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 117 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1998年10月

FDS6675

单P沟道逻辑电平的PowerTrench

MOSFET

概述

这种P沟道逻辑电平MOSFET产生

利用飞兆半导体先进的PowerTrench

已特别针对减少流程

的导通状态电阻，但保持低栅极电荷

对于出色的开关性能。

这些器件非常适用于笔记本电脑

应用：负载开关和电源管理，

电池充电电路和DC / DC转换。

特点

-11 A， -30 V. ř

DS （ ON）

= 0.014

Ω

@ V

= -10 V,

DS （ ON）

= 0.020

Ω

@ V

= -4.5 V.

低栅极电荷（ 30nC典型值）。

高性能沟道技术极低

DS （ ON）

高功率和电流处理能力。

SOT-23

SuperSOT

-6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

FD 75

针

SO-8

绝对最大额定值

符号

参数

= 25

C除非另有说明

FDS6675

单位

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

（注1A ）

-30

±20

-11

-50

2.5

1.2

-55到150

英镑

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

FDS6675 Rev.C1

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