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FDS4435BZ 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS4435BZ
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内容描述: P沟道MOSFET PowerTrench㈢ -30V , -8.8A ,20Mヘ [P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -30V, -8.8A, 20mヘ]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 6 页 / 301 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS4435BZ P沟道PowerTrench
®
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
100
V
GS
= -10V
P
( PK)
,瞬态峰值功率( W)
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前,如下所示:
I = I
25
150
T
A
------------------------
125
10
T
A
= 25
o
C
1
0.6
-3
10
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T,脉冲宽度( S)
图13.单脉冲最大功率耗散
2
占空比,降序排列
1
归热
阻抗Z
θ
JA
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
0.01
-3
10
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨,矩形脉冲持续时间( S)
图14.瞬态热响应曲线
©2007仙童半导体公司
FDS4435BZ Rev.C
5
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