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    FDS4435BZ 参数 Datasheet PDF下载

    FDS4435BZ图片预览
    型号： FDS4435BZ
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道MOSFET PowerTrench㈢ -30V ， -8.8A ，20Mヘ [P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -30V, -8.8A, 20mヘ]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 6 页 / 301 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS4435BZ的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS4435BZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS4435BZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS4435BZ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS4435BZ的Datasheet PDF文件第6页  
    FDS4435BZ P沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    典型特征
    T
    J
    = 25 ° C除非另有说明
    10
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    I
    D
    = -8.8A
    4000
    C
    国际空间站
    电容（pF）
    V
    DD
    = -10V
    8
    6
    V
    DD
    = -15V
    V
    DD
    = -20V
    1000
    C
    OSS
    4
    2
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    C
    RSS
    F = 1MHz的
    V
    GS
    = 0V
    100
    0.1
    1
    10
    30
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性
    图8.电容VS漏
    至源极电压
    10
    -I
    g
    ,
    栅极漏电流（ A）
    -4
    20
    -I
    AS
    ，雪崩电流（ A）
    V
    DS
    = 0V
    10
    10
    10
    10
    10
    10
    -5
    T
    J
    = 125
    o
    C
    -6
    T
    J
    = 25
    o
    C
    T
    J
    = 125
    o
    C
    -7
    T
    J
    = 25
    o
    C
    -8
    1
    0.01
    -9
    0.1
    1
    10
    30
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    t
    AV
    ，一次雪崩（毫秒）
    -V
    GS
    ,
    门源电压（ V）
    图9.松开电感
    交换能力
    10
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    图10.栅极漏电流与门极
    源极电压
    100
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    8
    V
    GS
    = -10V
    10
    100us
    1ms
    6
    4
    2
    R
    θ
    JA
    = 50℃ / W
    o
    1
    这个区域是
    限于由R
    DS （ ON）
    单脉冲
    T
    J
    =最大额定
    R
    θ
    JA
    = 125℃ / W
    T
    A
    = 25
    o
    C
    o
    10ms
    100ms
    1s
    10s
    DC
    V
    GS
    = -4.5V
    0.1
    0
    25
    50
    75
    100
    o
    125
    150
    0.01
    0.1
    1
    10
    80
    T
    A
    ，环境温度
    (
    C
    )
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图11.最大连续漏极
    电流与环境温度
    图12.正向偏置安全
    工作区
    ©2007仙童半导体公司
    FDS4435BZ Rev.C
    4
    www.fairchildsemi.com

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