FDS4435BZ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS4435BZ
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内容描述：	P沟道MOSFET PowerTrench㈢ -30V ， -8.8A ，20Mヘ [P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -30V, -8.8A, 20mヘ]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	6 页 / 301 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS4435BZ P沟道PowerTrench

MOSFET

2007年6月

FDS4435BZ

P沟道PowerTrench

MOSFET

-30V ， -8.8A ， 20MΩ

特点

最大ř

DS （ ON）

= 20MΩ在V

= -10V ，我

= -8.8A

最大ř

DS （ ON）

= 35mΩ在V

= -4.5V ，我

= -6.7A

扩展V

GSS

范围（ -25V ）电池应用

为± 3.8KV典型的HBM ESD保护水平（注3 ）

高性能沟道技术极低r

DS （ ON）

高功率和电流处理能力

终止是无铅和符合RoHS

概述

这

P沟道

MOSFET

生成

运用

飞兆半导体

安森美半导体先进的PowerTrench

过程中有

特别是针对已减小通态电阻。

这个装置是非常适合的电源管理和负载

在笔记本电脑中常见的切换应用程序

便携式电池组。

销1

SO-8

MOSFET的最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

符号

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流 - 连续

-Pulsed

功耗

单脉冲雪崩能量

工作和存储结温范围

= 25°C

（注1A ）

（注1B ）

（注4 ）

= 25°C

（注1A ）

参数

评级

-30

±25

-8.8

-50

2.5

1.0

-55到+150

单位

°C

热特性

θJC

θJA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

（注1A ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS4435BZ

设备

FDS4435BZ

包

SO-8

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500units

FDS4435BZ Rev.C

www.fairchildsemi.com

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