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    FDS4435BZ 参数 Datasheet PDF下载

    FDS4435BZ图片预览
    型号： FDS4435BZ
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道MOSFET PowerTrench㈢ -30V ， -8.8A ，20Mヘ [P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -30V, -8.8A, 20mヘ]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 6 页 / 301 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS4435BZ的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS4435BZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS4435BZ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS4435BZ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS4435BZ的Datasheet PDF文件第6页  
    FDS4435BZ P沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    典型特征
    T
    J
    = 25 ° C除非另有说明
    50
    归
    漏极至源极导通电阻
    4.0
    V
    GS
    = -10V
    V
    GS
    = -5V
    V
    GS
    = -3.5V
    3.5
    3.0
    脉冲持续时间= 80
    µ
    s
    占空比= 0.5 ％ MAX
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    40
    30
    20
    10
    V
    GS
    = -4.5V
    V
    GS
    = -4.5V
    2.5
    V
    GS
    = -4V
    V
    GS
    = -5V
    V
    GS
    = -4V
    V
    GS
    = -3.5V
    脉冲持续时间= 80
    µ
    s
    占空比= 0.5 ％ MAX
    2.0
    1.5
    V
    GS
    = -10V
    1.0
    0.5
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图1.区域特征
    图2.归一导通电阻
    VS漏极电流和栅极电压
    60
    源导通电阻
    (
    m
    Ω
    )
    1.6
    归
    漏极至源极导通电阻
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    -75
    I
    D
    = -8.8A
    V
    GS
    = -10V
    I
    D
    = -8.8A
    脉冲持续时间= 80
    µ
    s
    占空比= 0.5 ％ MAX
    50
    40
    30
    20
    T
    J
    = 25
    o
    C
    T
    J
    = 125
    o
    C
    r
    DS （ ON）
    ，沥去
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    10
    2
    4
    6
    8
    10
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    T
    J
    ，结温
    (
    o
    C
    )
    图3.归一导通电阻
    VS结温
    50
    -I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    脉冲持续时间= 80
    µ
    s
    占空比= 0.5 ％ MAX
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    图4.导通电阻与栅极到
    源极电压
    100
    V
    GS
    = 0V
    40
    30
    20
    T
    J
    = 150
    o
    C
    V
    DS
    = -5V
    10
    1
    0.1
    0.01
    0.001
    T
    J
    = 150
    o
    C
    T
    J
    = 25
    o
    C
    T
    J
    = -55
    o
    C
    10
    T
    J
    = 25
    o
    C
    T
    J
    =-55
    o
    C
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    0.0001
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    -V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图5.传输特性
    图6.源极到漏极二极管
    正向电压随电流源
    ©2007仙童半导体公司
    FDS4435BZ Rev.C
    3
    www.fairchildsemi.com

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