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FDN360P 参数 Datasheet PDF下载

FDN360P图片预览
型号: FDN360P
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内容描述: 单P沟道MOSFET PowerTrenchTM [Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 8 页 / 233 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDN360P
典型特征
10
V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= -2.0A
8
V
DS
= -5.0V
6
-10V
(续)
600
f=1MHz
V
GS
= 0V
480
电容(pF)
C
国际空间站
360
-15V
4
240
C
OSS
C
RSS
2
120
0
0
2
4
6
8
10
0
0
6
12
18
24
30
Q
g
,栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
100
50
单脉冲
R
θ
JA
= 270℃ / W
T
A
=25 C
功率(W)的
30
o
o
-I
D
,漏电流( A)
10
R
DS ( ON)
极限
100
µ
s
1ms
40
1
1s
0.1
V
GS
= -10V
单脉冲
R
θ
JC
= 270℃ / W
T
A
=25 C
0.01
0.1
1
o
o
10ms
100ms
10s
DC
20
10
0
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
,漏源电压(V )
单脉冲时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 270 ° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA (T )
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
300
0.001
0.0001
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态themal响应将取决于电路板的设计变化。
FDN360P Rev. D的