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    FDN360P 参数 Datasheet PDF下载

    FDN360P图片预览
    型号： FDN360P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单P沟道MOSFET PowerTrenchTM [Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 8 页 / 233 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第8页  
    FDN360P
    典型特征
    20
    -6.0V
    -5.0V
    -4.5V
    12
    -4.0V
    8
    -3.5V
    4
    -3.0V
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    V
    GS
    = -10V
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    16
    2.5
    2
    V
    GS
    = -4.0V
    1.5
    -4.5V
    -5.0V
    -6.0V
    -7.0V
    1
    -10V
    0.5
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    图1.区域特征。
    1.3
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    图2.导通电阻变化
    与漏极电流和栅极电压。
    0.25
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    I
    D
    = -1.0A
    0.2
    I
    D
    = -2.0A
    V
    GS
    = -10V
    1.2
    1.1
    0.15
    1
    0.1
    T
    J
    =125 C
    25 C
    o
    o
    0.9
    0.05
    0.8
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    o
    125
    150
    0
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    T
    J
    ，结温（ C）
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图3.导通电阻变化
    与温度。
    10
    V
    DS
    = -5V
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    8
    25 C
    6
    o
    图4.导通电阻变化
    同门 - 源电压。
    100
    -I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    V
    GS
    = 0V
    10
    T
    J
    =-55 C
    o
    125 C
    o
    1
    T
    J
    =125 C
    25 C
    -55 C
    o
    o
    o
    4
    0.1
    2
    0.01
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0.001
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    1.4
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    -V
    SD
    ，体二极管电压（ V）
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压
    变化与源电流
    和温度。
    FDN360P Rev. D的

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