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    FDN360P 参数 Datasheet PDF下载

    FDN360P图片预览
    型号： FDN360P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单P沟道MOSFET PowerTrenchTM [Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 8 页 / 233 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDN360P的Datasheet PDF文件第8页  
    FDN360P
    电气特性
    符号
    参数
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    测试条件
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = -250
    µ
    A
    I
    D
    = -250
    µ
    A，参考
    25
    °
    C
    V
    DS
    = -24 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 20 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    GS
    = -20 V, V
    DS
    = 0 V
    民
    典型值
    最大单位
    开关特性
    BV
    DSS
    ∆
    BV
    DSS
    ∆
    T
    J
    I
    DSS
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    漏源击穿电压
    击穿电压温度
    系数
    零栅极电压漏极电流
    门体漏电流，
    前锋
    门体漏电流，
    反向
    （注2 ）
    -30
    20
    -1
    100
    -100
    V
    毫伏/
    °
    C
    µ
    A
    nA
    nA
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    ∆
    V
    GS （ TH）
    ∆
    T
    J
    R
    DS （ ON）
    栅极阈值电压
    栅极阈值电压
    温度COEF网络cient
    静态漏源
    导通电阻
    通态漏电流
    正向跨导
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = -250
    µ
    A
    I
    D
    = -250
    µ
    A，参考
    25
    °
    C
    V
    GS
    = -10 V，I
    D
    = -2 A
    V
    GS
    = -10 V，I
    D
    = -2 A ，T
    J
    =125
    °
    C
    V
    GS
    = -4.5 V，I
    D
    = -1.5 A
    V
    GS
    = -10 V, V
    DS
    = -5 V
    V
    DS
    = -5 V，I
    D
    = -2 A
    -1
    -1.8
    -4
    0.060
    0.080
    0.095
    -3
    V
    毫伏/
    °
    C
    0.080
    0.136
    0.125
    Ω
    I
    D（上）
    g
    FS
    -20
    5.5
    A
    S
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    （注2 ）
    V
    DS
    = -15 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0 MHz的
    420
    140
    60
    pF
    pF
    pF
    开关特性
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    V
    DD
    = -15 V，I
    D
    = -1 A,
    V
    GS
    = -10 V ，R
    根
    = 6
    Ω
    9
    8
    18
    6
    18
    16
    29
    12
    7
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    = -15 V，I
    D
    = -2 A,
    V
    GS
    = -10 V,
    5
    1.7
    1.8
    漏源二极管的特性和最大额定值
    I
    S
    V
    SD
    最大连续漏源二极管的正向电流
    漏源二极管的正向电压V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = -0.42 A
    （注2 ）
    -0.42
    -0.75
    -1.2
    A
    V
    注意事项：
    1.
    R
    θJA
    是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为焊接安装
    的漏极引脚表面。 ř
    θJC
    由设计而ř
    θJA
    是通过用户的电路板的设计来确定。
    A） 250 ° C / W时，
    安装在一个0.02
    2
    垫2盎司铜。
    在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
    2.
    脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300
    µs,
    占空比
    ≤
    2.0%
    B） 270 ° C / W时，
    安装在一个0.001
    2
    垫2盎司铜。
    FDN360P Rev. D的

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