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FDN360P图片预览
型号: FDN360P
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内容描述: 单P沟道MOSFET PowerTrenchTM [Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 8 页 / 233 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDN360P
1999年2月
FDN360P
单P沟道PowerTrench
TM
MOSFET
概述
这种P沟道逻辑电平MOSFET采用生产
飞兆半导体的PowerTrench先进工艺
已特别针对减少通态
性,但保持出色的开关
性能。
这些装置非常适用于低电压和电池
供电应用的低线的功率损耗和
快速切换是必需的。
特点
-2 A , -30 V. ř
DS ( ON)
= 0.080
@ V
GS
= -10 V
R
DS ( ON)
= 0.125
@ V
GS
= -4.5 V.
低栅极电荷( 5nC典型值) 。
快速开关速度。
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力。
应用
DC / DC转换器
负荷开关
电机驱动
D
D
S
SuperSOT -3
TM
G
T
A
= 25 ° C除非另有说明
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
参数
评级
-30
(注1A )
单位
V
V
A
W
°
C
±
20
-2
-20
0.5
0.46
-55到+150
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
工作和存储结温范围
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
250
75
°
C / W
°
C / W
包装纲要和订货信息
器件标识
360
设备
FDN360P
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
©1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDN360P Rev. D的