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FDN304P 参数 Datasheet PDF下载

FDN304P图片预览
型号: FDN304P
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内容描述: P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET [P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 384 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDN304P
典型特征
5
I
D
= -2.4A
4
V
DS
= -5V
-10V
-15V
2100
1800
C
国际空间站
1500
1200
900
600
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
3
2
1
300
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
C
OSS
C
RSS
10
15
20
0
Q
g
,栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
100
R
DS ( ON)
10
10ms
1
V
GS
=-4.5V
单脉冲
R
θ
JA
= 270℃ / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
,漏源电压(V )
0
o
o
图8.电容特性。
20
1ms
15
单脉冲
R
θ
JA
= 270 ° C / W
T
A
= 25°C
100ms
10s
DC
1s
10
0.1
5
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θ
JA
(吨) = R(T) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 270 ° C / W
P( PK)
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
0.001
0.0001
0.001
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1b中描述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDN304P版本B ( W)