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FDN304P 参数 Datasheet PDF下载

FDN304P图片预览
型号: FDN304P
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内容描述: P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET [P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 384 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
===∆T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
===∆T
J
R
DS ( ON)
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏,正向
门体泄漏,反向
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= –250
µA
I
D
= –250
μA ,引用
至25℃
V
DS
= –16 V,
V
GS
= 8 V,
V
GS
= –8 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
V
DS
= 0 V
–20
典型值
最大单位
V
开关特性
–13
–1
100
–100
–0.4
–0.8
3
0.036
0.047
0.065
–10
12
1312
240
106
15
15
40
25
V
DS
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V
I
D
= –2.4 A,
12
2
2
–0.42
(注2 )
毫伏/°C的
µA
nA
nA
V
毫伏/°C的
0.052
0.070
0.100
A
S
pF
pF
pF
27
27
64
40
20
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
µA
I
D
= –250
μA ,引用
至25℃
V
GS
= –4.5 V,
V
GS
= –2.5 V,
V
GS
= –1.8V,
V
GS
= –4.5 V,
V
DS
= –5 V,
I
D
= –2.4 A
I
D
= –2.0 A
I
D
= –1.8 A
V
DS
= –5 V
I
D
= –1.25 A
–1.5
I
D(上)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
动态特性
V
DS
= –10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –10 V,
V
GS
= –4.5 V,
I
D
= –1 A,
R
= 6
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= –0.42
–0.6
–1.2
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一个),安装在一个时250℃ / W的
在0.02
2
垫的2盎司铜。
二)安装在一个时为270℃ / W的
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度
≤=300 µs,
占空比
≤=2.0%
FDN304P版本B ( W)