FDN304P
2000年6月
初步
FDN304P
P沟道1.8V特定网络版的PowerTrench
MOSFET
概述
这种P沟道1.8V指定用途MOSFET
飞兆半导体先进的低电压的PowerTrench工艺。
它已被优化的电池电源管理
应用程序。
特点
•
-2.4 A， -20 V.
R
DS （ ON）
= 0.052
Ω
@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 0.070
Ω
@ V
GS
= –2.5 V
R
DS （ ON）
= 0.100
Ω
@ V
GS
= –1.8 V
应用
•
电池管理
•
负荷开关
•
电池保护
•
开关速度快
•
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
•
SuperSOT
TM
-3提供低R
DS （ ON）
和高30％
比SOT23在相同的功率处理能力
脚印
D
D
S
SuperSOT -3
TM
G
T
A
= 25°C除非另有说明
o
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
参数
评级
–20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
W
°C
–
2.4
–
10
0.5
0.46
-55到+150
（注1A ）
（注1B ）
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
250
75
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.304
设备
FDN304P
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2000
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDN304P版本B （ W）
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
