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FDN304P 参数 Datasheet PDF下载

FDN304P图片预览
型号: FDN304P
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内容描述: P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET [P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 384 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDN304P
典型特征
15
V
GS
= -4.5V
-I
D
,漏电流( A)
12
-3.0V
-2.5V
-2.0V
4
3.5
V
GS
= -1.5V
3
9
-1.8V
2.5
2
1.5
-1.8V
-2.0V
-2.5V
-1.5V
-3.0V
-4.5V
6
3
1
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
DS
,漏源电压(V )
0
3
6
9
12
15
-I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.14
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
I
D
= -2.4A
V
GS
= -4.5V
I
D
= -1.2 A
0.12
0.1
0.08
T
A
= 125 C
0.06
T
A
= 25 C
0.04
0.02
1
2
3
4
5
-V
GS
,门源电压( V)
o
o
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
T
J
,结温( C)
图3.导通电阻变化与
温度。
15
V
DS
= - 5V
12
T
A
=
o
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
25 C
-55 C
o
V
GS
= 0V
10
1
0.1
o
9
T
A
= 125 C
25 C
-55 C
o
o
6
0.01
0.001
0.0001
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.2
0.4
0.6
3
0
-V
GS
,门源电压( V)
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDN304P版本B ( W)