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    FDC640P 参数 Datasheet PDF下载

    FDC640P图片预览
    型号： FDC640P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET [P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 262 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第8页  
    FDC640P
    典型特征
    5
    -V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    I
    D
    = -4.5A
    4
    （续）
    1600
    V
    DS
    = -5V
    1400
    -10V
    -15V
    F = 1MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    C
    国际空间站
    1200
    1000
    800
    3
    2
    600
    400
    1
    200
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    C
    OSS
    C
    RSS
    0
    5
    10
    15
    20
    0
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性。
    图8.电容特性。
    100
    100µs
    1ms
    功率（W）的
    5
    单脉冲
    R
    θJA
    = 156
    o
    C / W
    4
    T
    A
    = 25
    o
    C
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    10
    R
    DS （ ON）
    极限
    1
    V
    GS
    = -4.5V
    单脉冲
    R
    θJA
    = 156
    o
    C / W
    T
    A
    = 25
    o
    C
    0.01
    0.1
    1
    10ms
    100ms
    1s
    DC
    3
    2
    0.1
    1
    0
    10
    100
    0.1
    1
    10
    单脉冲时间（秒）
    100
    1000
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    图9.最高安全工作区。
    图10.单脉冲最大
    功耗。
    1
    瞬态热阻
    R（T ） ，规范有效
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.005
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    P（ PK）
    R
    θJA
    （吨） = R （t）的R *
    θJA
    R
    θJA
    = 156_C / W
    t
    1
    t
    2
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θJA
    (t)
    占空比D = T
    1
    / t
    2
    0.00001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    100
    300
    图11.瞬态热响应曲线。
    热特性进行使用注1b中描述的条件。
    瞬态themal响应将取决于电路板的设计变化。
    FDC640P ， Rev.C

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