FDC640P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDC640P
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内容描述：	P沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET [P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 262 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDC640P

2000年8月

FDC640P

P沟道2.5V指定的PowerTrench

MOSFET

概述

这种P沟道2.5V指定MOSFET产生的

飞兆半导体的一个坚固的门版本

先进的PowerTrench工艺。它已被优化

用于电源管理的应用范围广

的栅极驱动电压。

特点

•

-4.5 A， -20 V. ř

DS （ ON）

= 0.050

Ω

@ V

= -4.5 V

DS （ ON）

= 0.077

Ω

@ V

= -2.5 V

•

坚固的门等级（

12V).

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

SuperSOT

-6包：占地面积小（ 72 ％小

比标准的SO- 8 ） ;低调（ 1mm厚）。

应用

•

负荷开关

•

电池保护

•

电源管理

SuperSOT

-6

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

= 25 ° C除非另有说明

参数

评级

-20

（注1A ）

单位

-4.5

-20

1.6

0.8

-55到+150

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

工作和存储结温范围

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

C / W

包装纲要和订货信息

器件标识

.640

2000

仙童半导体国际

设备

FDC640P

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

FDC640P ， Rev.C

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