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FDC640P 参数 Datasheet PDF下载

FDC640P图片预览
型号: FDC640P
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内容描述: P沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET [P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 262 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDC640P
典型特征
20
V
GS
= -4.5V
-4.0V
2
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
-3.5V
-3.0V
-I
D
,漏电流( A)
1.8
V
GS
= -2.5V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
5
10
-I
D
,漏电流( A)
15
20
15
-2.5V
10
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-4.5V
5
-2.0V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
DS
,漏源极电压( V)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压。
1.5
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
0.14
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
-50
I
D
= -4.5A
V
GS
= -4.5V
I
D
= -2.3A
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
T
A
= 25
o
C
T
A
= 125
o
C
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T
J
,结温(
o
C)
-V
GS
,门源电压( V)
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化
同门 - 源电压。
20
T
A
= -55 C
o
100
25
o
C
125
o
C
-I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= -5V
-I
D
,漏电流( A)
16
V
GS
= 0V
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
T
A
= 125
o
C
25 C
-55
o
C
o
12
8
4
0
0
1
2
3
4
-V
GS
,门源电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度。
FDC640P , Rev.C