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    FDC640P 参数 Datasheet PDF下载

    FDC640P图片预览
    型号： FDC640P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET [P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 262 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDC640P的Datasheet PDF文件第8页  
    FDC640P
    电气特性
    符号
    BV
    DSS
    ∆
    BV
    DSS
    ∆
    T
    J
    I
    DSS
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    漏源击穿电压
    击穿电压温度
    系数
    零栅极电压漏极电流
    门体漏电流，正向
    门体漏电流，反向
    （注2 ）
    测试条件
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = -250
    µ
    A
    I
    D
    = -250
    µ
    A，参考25
    °
    C
    V
    DS
    = -16 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 12 V, V
    DS
    = 0 V
    V
    GS
    = -12 V, V
    DS
    = 0 V
    民
    -20
    典型值
    最大单位
    V
    开关特性
    -17
    -1
    100
    -100
    毫伏/
    °
    C
    µ
    A
    nA
    nA
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    ∆
    V
    GS （ TH）
    ∆
    T
    J
    R
    DS （ ON）
    栅极阈值电压
    栅极阈值电压
    温度COEF网络cient
    静态漏源
    导通电阻
    通态漏电流
    正向跨导
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = -250
    µ
    A
    I
    D
    = -250
    µ
    A，参考25
    °
    C
    V
    GS
    = -4.5 V，I
    D
    = -4.5 A
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    = -4.5A ，T
    J
    =125
    °
    C
    V
    GS
    = -2.5 V，I
    D
    = -3.6 A
    V
    GS
    = -4.5 V, V
    DS
    = -5 V
    V
    DS
    = -5 V，I
    D
    = -4.5 A
    -0.6
    -1
    3
    0.037
    0.054
    0.060
    -1.5
    V
    毫伏/
    °
    C
    0.05
    0.08
    0.077
    Ω
    I
    D（上）
    g
    FS
    -10
    13
    A
    S
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    （注2 ）
    V
    DS
    = -25 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0 MHz的
    1065
    270
    105
    pF
    pF
    pF
    开关特性
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    V
    DD
    = -10 V，I
    D
    = -1 A,
    V
    GS
    = -4.5 V ，R
    根
    = 6
    Ω
    8.5
    10
    55
    25
    17
    18
    90
    40
    14
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    = -10 V，I
    D
    = -4.5 A,
    V
    GS
    = -4.5 V,
    10
    2.1
    2.9
    漏源二极管的特性和最大额定值
    I
    S
    V
    SD
    最大连续漏源二极管的正向电流
    漏源二极管的正向电压
    V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = -1.3 A
    （注2 ）
    -1.3
    -0.75
    -1.2
    A
    V
    注意事项：
    1.
    R
    θJA
    是总和的结到壳体和壳体至环境阻力，其中的情况下热参考被定义为焊料安装面
    的漏针。 ř
    θJC
    由设计而ř
    = CA
    是通过用户的电路板的设计来确定。
    安装在一个1.0时）， 78℃ / W的
    2
    垫的2盎司铜。
    二）安装在一个最小焊盘时为156℃ / W 。
    2.
    脉冲测试：脉冲宽度
    ≤
    300
    µs,
    占空比
    ≤
    2.0%
    FDC640P ， Rev.C

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