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    FDC634P 参数 Datasheet PDF下载

    FDC634P图片预览
    型号： FDC634P
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 4 页 / 74 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDC634P的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDC634P的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDC634P的Datasheet PDF文件第3页  
    典型的电气和热特性
    5
    -V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    2000
    I
    D
    = -3.5A
    4
    V
    DS
    = -5V
    -10V
    电容（pF）
    1200
    800
    600
    西塞
    3
    -15V
    科斯
    200
    2
    1
    80
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    CRSS
    0
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    30
    0.1
    0.2
    0.5
    1
    2
    5
    10
    30
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性。
    图8.电容特性。
    20
    10
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    5
    RD
    S（O
    N)
    LIM
    IT
    5
    100
    1m
    s
    10
    ms
    us
    4
    功率（W）的
    1
    0.3
    0.1
    0.03
    0.01
    0.1
    10
    1s
    DC
    0m
    3
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    =见注1B
    T
    A
    = 25°C
    s
    2
    V
    GS
    = -4.5V
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    =见注释1B
    A
    T
    A
    = 25°C
    0.2
    0.5
    -V
    DS
    1
    1
    2
    5
    10
    20
    40
    0
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    300
    ，漏源电压（V ）
    单脉冲时间（秒）
    图9.最高安全工作区。
    图10.单脉冲最大功率
    耗散。
    1
    R（T ） ，规范有效
    瞬态热阻
    0.5
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.2
    0.1
    P（ PK）
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    （吨） = R （t）的R *
    θ
    JA
    R
    θ
    JA
    =见注释1B
    t
    1
    t
    2
    0.02
    0.01
    0.0001
    T
    J
    - T
    A
    = P * R JA （ T）
    θ
    占空比D = T
    1
    / t
    2
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    100
    300
    0.001
    图11.瞬态热响应曲线。
    注意：在使用说明中描述的条件1b.Transient热热特性进行
    响应将取决于电路板的设计变化。
    FDC634P Rev.C

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