FDC634P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDC634P
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	4 页 / 74 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1997年11月

FDC634P

P沟道增强型场效应晶体管

概述

这些P沟道逻辑电平增强型功率

场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的

专有的，高密度， DMOS技术。这很

高密度工艺特别是针对减少

通态电阻。这些设备特别适合

对于低电压应用，如蜂窝电话和

笔记本电脑的电源管理和其他电池

供电电路中的高侧开关和低线

需要在一个非常小的轮廓表面的功率损耗

贴装封装。

特点

-3.5 A， -20 V. ř

DS （ ON）

= 0.080

Ω

@ V

= -4.5 V

DS （ ON）

= 0.110

Ω

@ V

= -2.5 V.

SuperSOT

采用铜引线框架-6包装设计

优异的热和电性能。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

呈导通电阻和最大直流电流

能力。

SOT-23

SuperSOT

-6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

.63

针

SuperSOT

-6

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有笔记

符号参数

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压 - 连续

漏电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

（注1A ）

FDC634P

-20

±8

-3.5

-11

1.6

0.8

-55到150

单位

英镑

θJA

θJC

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

FDC634P Rev.C

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案