电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度。系数
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 µA
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55
o
C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 µA
I
D
= -250 μA ，参考25
o
C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -3.5 A
T
J
= 125 C
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -3.1 A
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。 ř
θ
JC
被担保
设计，同时ř
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a. 78
o
装在一个1在C / W的时
2
2盎司铜的FR-4板垫。
b. 156
o
安装在2盎司铜的FR-4板的最小垫时C / W。
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
o
o
-20
-29
-1
-10
100
-100
V
毫伏/
o
C
µA
µA
nA
nA
∆
BV
DSS
/
∆
T
J
I
DSS
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
栅极阈值VoltageTemp.Coefficient
静态漏源导通电阻
-0.4
-0.6
2.1
0.07
0.099
0.093
-10
6.5
0.08
0.13
0.11
A
S
-1
V
毫伏/
o
C
∆
V
GS （ TH）
/
∆
T
J
R
DS （ ON）
Ω
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= -4.5 V, V
DS
= -5 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -3.5 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
665
270
70
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -5 V，I
D
= -3.5 A,
V
GS
= -4.5 V
V
DD
= -5 V，I
D
= -1 A,
V
GS
= -4.5 V ，R
根
= 6
Ω
8
24
50
29
9.5
1.3
2.2
16
38
80
45
13
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
连续源二极管电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.3 A
（注2 ）
-1.3
-0.75
-0.6
-1.2
-1
T
J
= 125
o
C
A
V
FDC634P Rev.C
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
