FDC634P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDC634P
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	4 页 / 74 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

典型电气特性

-I

，漏源电流（A ）

DS （ ON）

归一化

-3.5

-3.0

-2.5

漏源导通电阻

= -4.5V

1.8

= -2.0 V

1.6

1.4

1.2

0.8

-2.0

-2.5

-3.5

-3.0

-4.5

-1.5

-V

，漏源电压（V ）

-I

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

漏电流和栅极电压。

1.6

漏源导通电阻

0.25

= -3.5A

1.4

= -4.5V

DS （ ON）

，导通电阻（ OHM ）

= -1.8A

0.2

DS （ ON）

归一化

1.2

0.15

T = 125°C

0.1

0.8

25°C

0.05

0.6

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

-V

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化

与温度。

图4.导通电阻与变异

栅 - 源电压。

-I

，反向漏电流（ A）

= -5.0V

-I

，漏电流（ A）

T = -55°C

= 0V

25°C

125°C

TJ = 125°C

25°C

-55°C

0.1

0.01

0.001

0.5

1.5

2.5

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

-V

，门源电压（ V）

-V

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压

变化与源电流和

温度。

FDC634P Rev.C

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