FAN5236 - 双移动友好DDR /双输出PWM控制器
典型应用
（续）
V IN （ BATTERY）
= 5〜 24V
14
VIN
28
6
BOOT1
C1
D1
+5
C5
L1
C9
+5
C4
R2
VCC
Q1A
5
ILIM1
EN1
11
8
12
4
HDRV1
SW1
2.5V AT 6A
C6
+5
R3
C2
SS1
PW M 1
Q1B
2
3
7
LDRV1
PGND2
ISNS1
FPWM1 （ VOUT1 ）
VSEN1
BOOT2
R6
R4
PG1
DDR
9
15
10
13
23
V在
D2
C7
L2
C8
R7
在1.8V 6A
R5
+5
Q2A
EN2
PG2
SS2
21
16
17
24
25
HDRV2
SW2
Q2B
PW M 2
27
LDRV2
PGND2
ISNS2
VSEN2
ILIM2
C3
AGND
1
26
22
R8
R9
R1
FPWM2
20
19
18
图6.双稳压器的应用
表2. DDR稳压器BOM
项
1
2
3
4
5
5
11
12
13
14
15
27
28
29
30
描述
68μF的电容，钽电容， 25V ， ESR 95mΩ
10nF的电容，陶瓷
68μF的电容，钽， 6V ， 1.8Ω ESR
150nF的电容，陶瓷
330μF电容， POSCAP ， 4V ， ESR 40MΩ
0.1μF的电容器，陶瓷
56.2KΩ ， 1 ％电阻
为10kΩ ， 5 ％电阻
3.24KΩ ， 1 ％电阻
1.82KΩ ， 1 ％电阻
1.5KΩ ， 1 ％电阻
肖特基二极管30V
电感6.4μH ，6A， 8.64mΩ
双MOSFET与肖特基
DDR控制器
数量。
1
2
1
2
2
2
2
2
1
3
2
2
1
1
1
REF 。
C1
C2, C3
C4
C5, C7
C6, C8
C9
R1, R2
R3
R4
R5, R8,
R9
R6, R7
D1, D2
L1, L2
Q1
U1
AVX
任何
AVX
任何
三洋
任何
任何
任何
任何
任何
供应商
产品型号
TPSV686*025#095
TAJB686*006
4TPB330ML
任何
飞兆半导体
半导体
松下
飞兆半导体
半导体
飞兆半导体
半导体
BAT54
ETQ-P6F6R4HFA
FDS6986AS
FAN5236
(2)
注意：
2.如果电流超过4A的连续需要，使用单SO - 8封装。
欲了解更多信息，请参阅
功率MOSFET选择部分和AN- 6002的设计计算。
©2002仙童半导体公司
FAN5236 •版本1.3.2
www.fairchildsemi.com
9
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
