BAT54 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BAT54
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内容描述：	双移动友好DDR /双输出PWM控制器 [Dual Mobile-Friendly DDR / Dual-Output PWM Controller]
分类和应用：	二极管光电二极管双倍数据速率控制器
文件页数/大小：	19 页 / 495 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FAN5236 - 双移动友好DDR /双输出PWM控制器

A到PWM连续传导模式转变回

当电感电流上升（CCM）模式下发生

充分保持积极的态度，连续8个周期。

出现这种情况时：

⎛ Δ

迟滞

⎞

LOAD （CCM）

= ⎜

⎟

2 ESR

⎝

⎠

(3)

由于不同的控制机制，值

负载电流的其中过渡到CCM工作

发生通常高于负载

在此过渡到迟滞模式层面发生。

迟滞模式可以通过设置FPWM被禁用

引脚为低电平。

哪里

ΔV

迟滞

= 15mV的和ESR是等效

的C串联电阻

OUT

图12 。

限流/求和电路

目前处理科

电流经过R

SENSE

电阻（我

SNS

）是

采样（通常为400ns ）后Q2导通，如

在图12中示出该电流被保持并求和

用误差放大器的输出端。这有效

创建一个电流模式控制回路。电阻

连接到ISNSx引脚（R

SENSE

）设置的增益

电流反馈环。下面的表达式

估计R的推荐值

SENSE

作为

最大负载电流的函数（余

LOAD （MAX）

）和

MOSFET的R的值

DS （ ON）

⎛

LOAD （MAX）

•

DS （ ON）

⎞

SENSE

= ⎜

−

100

⎟

⎜

⎟

75 µA

⎝

⎠

(4)

SENSE

但是，必须保持高于700Ω即使

算出的数出来是小于700Ω 。

由于在电流限制容差在很大程度上是

依赖的外部电阻器的比率，它是

相当精确的，如果在开关节点上的电压降

的R方

SENSE

是负载的精确表示

电流。当使用MOSFET作为传感

元素，R的变化

DS （ ON）

导致比例

变异在我

SNS

。该值从设备而异

设备，并具有典型的结温

约0.4 ％/℃系数（咨询MOSFET

数据表实际值），所以实际的电流限制

设定点下降比例增加MOSFET

模具温度。 1.6中的限流设定的一个因素

点应补偿MOSFET ř

DS （ ON）

变化，假设MOSFET散热片保持

其工作结温低于125℃ 。

LDRV

ISNS

SENSE

设置电流限制

我的比率

SNS

进行比较，以确定当前

当一个0.9V内部基准电压源驱动ILIM引脚：

LIM

负载

⎛

(100

⎞

⎜

SENSE

)

⎟

⎜

⎟

DS （ ON）

⎜

⎟

⎝

⎠

(5)

保护地

图13 。

FAN5236 •版本1.3.2

提高电流检测精度

www.fairchildsemi.com

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