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NDP603AL 参数 Datasheet PDF下载

NDP603AL图片预览
型号: NDP603AL
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 5 页 / 68 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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Typical Electrical Characteristics (continued)  
25  
40  
20  
10  
5
T
= -55°C  
J
VGS = 0V  
20  
15  
10  
5
25°C  
2
1
T
= 125°C  
J
25°C  
0.5  
-55°C  
125°C  
0.2  
0.1  
VDS = 10V  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
1.4  
1.6  
0
10  
20  
, DRAIN CURRENT (A)  
30  
40  
V
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
SD  
I
D
Figure 13. Transconductance Variation with Drain  
Current and Temperature  
Figure 14. Body Diode Forward Voltage  
Variation with Current and Temperature  
150  
100  
50  
20  
10  
5
VGS = 20V  
2
1
SINGLE PULSE  
TC = 25°C  
0.5  
0.1  
0.5  
1
2
5
10  
30  
50  
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)  
DS  
Figure 15. Maximum Safe Operating Area  
1
D = 0.5  
0.5  
0.3  
0.2  
0.2  
R
(t) = r(t) * R  
qJC  
qJC  
= 2.5 °C/W  
R
JC  
q
0.1  
0.1  
P(pk)  
0.05  
0.05  
0.02  
0.01  
t1  
t 2  
0.03  
0.02  
T
- T = P * R  
(t)  
Single Pulse  
J
C
q
JC  
Duty Cycle, D = t1 /t2  
0.01  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
t1 ,TIME (ms)  
Figure 16. Transient Thermal Response Curve  
NDP603AL.SAM  
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