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IRF640N 参数 Datasheet PDF下载

IRF640N图片预览
型号: IRF640N
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内容描述: N沟道功率MOSFET 200V , 18A , 0.15ohm [N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 11 页 / 157 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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Typical Characteristic  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
20  
15  
10  
5
0
0
25  
50  
75  
100  
150  
175  
125  
o
25  
50  
75  
100  
125  
o
150  
175  
T
, CASE TEMPERATURE ( C)  
C
T , CASE TEMPERATURE ( C)  
C
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs  
Ambient Temperature  
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs  
Case Temperature  
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER  
0.5  
0.2  
1
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
P
DM  
0.1  
t
1
t
2
NOTES:  
DUTY FACTOR: D = t /t  
1
2
SINGLE PULSE  
PEAK T = P  
x Z  
x R  
+ T  
J
DM  
θJC  
θJC C  
0.01  
10  
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
1
10  
10  
10  
10  
10  
10  
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)  
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance  
300  
100  
o
T
= 25 C  
C
FOR TEMPERATURES  
o
ABOVE 25 C DERATE PEAK  
CURRENT AS FOLLOWS:  
175 - T  
150  
C
I = I  
25  
V
= 10V  
GS  
TRANSCONDUCTANCE  
MAY LIMIT CURRENT  
IN THIS REGION  
10  
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
1
10  
10  
10  
10  
t, PULSE WIDTH (s)  
10  
10  
10  
Figure 4. Peak Current Capability  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B  
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