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IRF640N 参数 Datasheet PDF下载

IRF640N图片预览
型号: IRF640N
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内容描述: N沟道功率MOSFET 200V , 18A , 0.15ohm [N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 11 页 / 157 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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Test Circuits and Waveforms (Continued)  
V
DS  
V
Q
DD  
g(TOT)  
R
L
V
DS  
V
= 20V  
GS  
Q
g(10)  
V
GS  
+
-
V
V
= 10V  
DD  
V
GS  
GS  
V
= 2V  
DUT  
GS  
0
I
g(REF)  
Q
g(TH)  
Q
Q
gd  
gs  
I
g(REF)  
0
Figure 16. Gate Charge Test Circuit  
Figure 17. Gate Charge Waveforms  
V
t
t
DS  
ON  
OFF  
t
d(OFF)  
t
d(ON)  
t
t
f
R
L
r
V
DS  
90%  
90%  
+
-
V
GS  
V
DD  
10%  
10%  
0
DUT  
90%  
50%  
R
GS  
V
GS  
50%  
PULSE WIDTH  
10%  
V
GS  
0
Figure 18. Switching Time Test Circuit  
Figure 19. Switching Time Waveforms  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B  
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