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EM6AB160TSA-5G 参数 Datasheet PDF下载

EM6AB160TSA-5G图片预览
型号: EM6AB160TSA-5G
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内容描述: 32M ×16位DDR同步DRAM ( SDRAM ) [32M x 16 bit DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 61 页 / 464 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
扩展模式寄存器设置( EMRS )
EM6AB160TSA
扩展模式寄存器设置存储数据用于启用或禁用的DLL ,并选择输出驱动
强度。扩展模式寄存器的默认值是没有定义,所以必须写上电后的
正确的操作。该产品新增的模式寄存器写的是认定的低
CS
,
RAS
,
CAS
,
WE
, BA1和BA0
(该设备应具备所有银行闲置,没有突发的进展之前,写入模式寄存器,和CKE
要高)
.
的A0〜 A12, BA0和BA1的状态被写入到模式寄存器中相同的周期
CS
,
RAS
,
CAS
WE
变低。在DDR SDRAM应该是在之前已经很高所有银行预充电与CKE
写入该扩展模式寄存器。 A1用于驱动强度设置为正常,或弱。两个时钟周期
需要填写在扩展模式寄存器的写操作。的模式寄存器的内容可以是
用操作期间相同的命令和时钟周期的要求,只要所有银行在空闲改变
状态。 A0是用于DLL使能或禁用。 "High"上BA0用于EMRS 。请参阅下表为具体的代码。
表11.扩展模式寄存器的位图
BA1 BA0 A12 A11 A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
地址栏
0
1
RFU必须设置为“0”的
DS0 DLL扩展模式寄存器
BA0
0
1
模式
太太
EMRS
A1
0
1
驱动强度
A0
0
1
DLL
启用
关闭
钰创机密
9
Rev.1.3
2009年5月