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EM6AB160TSA-5G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM6AB160TSA-5G
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内容描述: 32M ×16位DDR同步DRAM ( SDRAM ) [32M x 16 bit DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 61 页 / 464 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
表15.特区
特征
( VDD = 2.5V
±
5%, T
A
= 0~70
°C)
参数&测试条件
工作电流:
一家银行;主动预充电;
t
RC
=t
RC
(分钟) ;吨
CK
=t
CK
(分钟) ; DQ , DM和DQS输入
每个时钟周期改变一次;地址和控制输入
改变每两个时钟周期。
工作电流:
一家银行;主动 - 读 -
预充电; BL = 4;吨
RC
=t
RC
(分钟) ;吨
CK
=t
CK
(分钟) ;糊涂人= 0毫安;
地址和控制输入,每个时钟周期改变一次
预充电掉电待机电流:
所有
银行闲置;掉电模式;吨
CK
=t
CK
(分钟) ; CKE =低
IDLE STANDLY CURRENT :
CKE =高;
CS
= HIGH (取消选择) ;所有银行闲置;吨
CK
=t
CK
(分钟) ;
地址和控制输入,每个时钟周期改变一次;
V
IN
=V
REF
针对DQ , DQS和DM
ACTIVE POWER- DOWN待机电流:
一家银行
活跃;掉电模式; CKE =低;吨
CK
=t
CK
(分钟)
主动待机电流:
CS
= HIGH ; CKE =高;一
银行主动;吨
RC
=t
RC
(最大值) ;吨
CK
=t
CK
(分钟) ,地址和控制
输入每个时钟周期改变一次; DQ , DQS ,和DM
输入每个时钟周期改变的两倍
工作电流突发读:
BL = 2;上面写到
可连拍;一家银行主动;地址和控制
输入每个时钟周期改变一次;吨
CK
=t
CK
(分钟) ;
糊涂人= 0毫安; 50%的数据变化对每一个转移
工作电流突发写:
BL = 2;写操作;
可连拍;一家银行主动;地址和控制
输入每个时钟周期改变一次;吨
CK
=t
CK
(分钟) ;
DQ , DQS和DM每个时钟周期改变的两倍; 50%的
数据的变化对每一个转移
自动刷新电流:
t
RC
=t
RFC
(分钟) ;吨
CK
=t
CK
(分钟)
自刷新电流:
卖刷新模式; CKE
0.2V;t
CK
=t
CK
(分钟)
符号
EM6AB160TSA
-5
马克斯。
单位注
IDD0
220
mA
IDD1
IDD2P
250
40
mA
mA
IDD2N
70
mA
IDD3P
55
mA
IDD3N
100
mA
IDD4R
420
mA
IDD4W
420
mA
IDD5
IDD6
290
6
mA
mA
1
钰创机密
11
Rev.1.3
2009年5月