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    EM6AB160TSA-5G 参数 Datasheet PDF下载

    EM6AB160TSA-5G图片预览
    型号： EM6AB160TSA-5G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32M ×16位DDR同步DRAM （ SDRAM ） [32M x 16 bit DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 61 页 / 464 K
    品牌： ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
     浏览型号EM6AB160TSA-5G的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM6AB160TSA-5G的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EM6AB160TSA-5G的Datasheet PDF文件第10页浏览型号EM6AB160TSA-5G的Datasheet PDF文件第11页浏览型号EM6AB160TSA-5G的Datasheet PDF文件第13页浏览型号EM6AB160TSA-5G的Datasheet PDF文件第14页浏览型号EM6AB160TSA-5G的Datasheet PDF文件第15页浏览型号EM6AB160TSA-5G的Datasheet PDF文件第16页  
    EtronTech
    （VDD = 2.5V ±5％ ，T
    A
    = 0~70
    °C)
    符号
    参数
    -5
    EM6AB160TSA
    表16.Electrical特点及推荐ACOperating条件
    t
    CK
    t
    CH
    t
    CL
    t
    HP
    t
    HZ
    t
    LZ
    t
    DQSCK
    t
    AC
    t
    DQSQ
    t
    RPRE
    t
    RPST
    t
    DQSS
    t
    WPRES
    t
    WPRE
    t
    WPST
    t
    DQSH
    t
    DQSL
    t
    IS
    t
    IH
    t
    DS
    t
    DH
    t
    QH
    t
    RC
    t
    RFC
    t
    RAS
    t
    RCD
    t
    RP
    t
    RRD
    t
    WR
    t
    WTR
    t
    MRD
    t
    REFI
    t
    XSRD
    t
    XSNR
    t
    DAL
    t
    DIPW
    t
    IPW
    时钟周期时间
    时钟高电平宽度
    时钟低电平宽度
    时钟半周期
    CL = 2
    CL = 2.5
    CL = 3
    分钟。
    7.5
    6
    5
    0.45
    0.45
    t
    CLmin
    或T
    chmin
    马克斯。
    10
    10
    10
    0.55
    0.55
    -
    单位注
    ns
    ns
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    ns
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    t
    CK
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    t
    CK
    ns
    µ
    s
    t
    CK
    ns
    ns
    ns
    ns
    2
    3
    3
    从CK数据输出高阻抗的时间，
    CK
    数据输出低电平，从CK阻抗时，
    CK
    DQS进出时间从CK ，
    CK
    从CK输出访问时间，
    CK
    DQS -DQ歪斜
    阅读序言
    阅读后同步
    CK到有效DQS-中
    DQS -的建立时间
    DQS写序言
    DQS写后同步
    在高电平脉冲宽度DQS
    在低电平脉冲宽度DQS
    地址和控制输入建立时间
    地址和控制输入保持时间
    DQ & DM设置时间DQS
    DQ & DM保持时间DQS
    从DQS DQ / DQS输出保持时间
    行周期时间
    刷新行周期时间
    行活动时间
    RAS
    to
    CAS
    延迟
    行预充电时间
    行有效至行主动延迟
    写恢复时间
    内部写读命令延迟
    模式寄存器设置循环时间
    平均周期刷新间隔
    自刷新退出读命令延迟
    自刷新退出非读命令延迟
    自动预充电写恢复+预充电时间
    DQ和DM输入PULS宽
    CNTROL和地址输入脉冲宽度
    -
    -0.7
    -0.7
    -0.7
    -
    0.9
    0.4
    0.8
    0
    0.35
    0.4
    0.35
    0.35
    0.9
    0.9
    0.45
    0.45
    t
    HP
    -0.55
    60
    72
    40
    20
    20
    10
    15
    2
    10
    -
    200
    75
    35
    1.75
    2.2
    0.7
    0.7
    0.7
    0.7
    0.45
    1.1
    0.6
    1.2
    -
    -
    0.6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    120K
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    7.8
    -
    -
    -
    -
    -
    4
    5
    6
    6
    7
    钰创机密
    12
    Rev.1.3
    2009年5月

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