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EM6AB160TSA-5G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EM6AB160TSA-5G
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内容描述: 32M ×16位DDR同步DRAM ( SDRAM ) [32M x 16 bit DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 61 页 / 464 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
参数
符号
分钟。
EM6AB160TSA
马克斯。
单位
表17.推荐交流工作条件
(VDD = 2.5V ±5% ,T
A
= 0~70
°C)
输入高电压( AC )
输入低电压( AC )
输入不同的电压,CK和
CK
输入
V
IH
(AC)的
V
IL
(AC)的
V
ID
(AC)的
V
REF
+ 0.35
-
0.7
0.5*V
DDQ
-0.2
-
V
REF
– 0.35
V
DDQ +
0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
V
V
V
V
输入交叉点电压, CK和
CK
输入V
IX
(AC)的
注意:
1 )使芯片上的刷新和地址计数器。
2 )最小(T
CL
, t
CH
)是指疗法的实际时钟低电平时间和实际时钟高电平时间越小提供给
装置。
3) t
HZ
和T
LZ
转换发生在相同的访问时间窗作为有效数据的转换。这些参数不
引用一个特定的电压电平,但指定时,该设备的输出不再找到(HZ) ,或开始
找到(LZ) 。
4 )具体的要求是, DQS有效(高,低,或在一个有效的过渡部分点)上,或在此之前
CLK的边缘。一个有效的过渡被定义为单调的,并满足该设备的输入电压变化率规范。
如果没有写以前在进步的总线上, DQS会从高阻转换为逻辑低电平。如果一个
一次写正在进行中, DQS可以是高,低,或转换从高电平变为低电平,此时,
根据吨
DQSS
.
5)最大限制这个参数不是一个设备的限制。该装置将使用这是一个更大的价值
参数,但系统性能(总线周转)将相应降低。
6 )对于命令/地址和CK &
CK
压摆率
1.0V/ns.
7 )最多八个自动刷新命令可以发布到任何给定的DDR SDRAM器件。
8)
电序列中注10中描述
9 )交流测试条件
钰创机密
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Rev.1.3
2009年5月